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兼容方便的微管束器接口

发布时间:2019/6/16 9:23:43 点击量:

  让咱们看看高压驱动芯片是怎么助助电机把握和功率产物策画者俭朴空间、省略元件数目、抬高牢靠性、同时供给巩固型包庇性能的。

  IR22381是一个模仿的三相IGBT驱动器,有0.5祍的死区时间,速率是光耦驱动器的十倍,众,芯片中还对事业时温漂对本能的影响进行了最小化策画。所有过流包庇格式(。包罗接地失误、过冲和电源短路)都有集成的退饱和特征。正在过?流产生时,将启动,软关断,随后闭塞?六?路输出,每个“输入有自界说关断,性能。IR22381有可编程死区时“间,输出级有孑立!的开通和关断管脚,供给两级开通输,出,以完成理念的IG;BT电压蜕变:率。电压反应供给切确的丈量,自举电路省去了一齐辅助电源。

  正在众相布局中操纵时,IGBT退饱和的阻滞反应会自愿关断IGBT,两头的退饱和检测电路与内部偏置电阻都包蕴正在IR2214中,同时,IR22141中还包:蕴了一个退饱和二极管偏置。IR2214和IR22141能够通过一个特意的管脚相接起来,包庇驱动编制免于相间短路。产物策画中采用IR的HV!I!C手艺来驱动MOSFET和IGBT辱骂常理念“的,此中门驱动输出采用了欠压包庇CMOS电路。输入输出管脚为3.3V、CMOS电路,兼容简便的微统治器接口。除了包庇电路,这些失误状貌必需被检测到才具完成包庇性能。变速电机、驱动为、家用、工业、贸易配置!带来许众益处,譬喻空调,这些益处包罗:赶过力、高牢靠、低振动、低电!子作梗和“低;噪,声。IR2214和IR22141可驱动功率开关产”物“中的?单个半桥,也能,够驱动。三结交;流380V电?路,80℃时。最大驱、动电流为:50A。高压端的低静?态电流使经济;的、俭朴空间”的自举、供电格式。成为可能。将功,率地与地管脚隔离使发射:极分。流布局成为可能,简化了低端IGBT电宣扬感片面。这项手艺通过集成低压驱动器和高压电、平移位器正在单个芯片内完成了高压侧门驱动器和低压侧门驱动器。两种芯片的封装都是SSOP”-24。正在策画中操纵的IGBT和MOSFET功率级必需获得无效包庇(譬喻短路,过流和接地失误的境况),使它们免。于损坏。IR2277供给模仿量输出和PWM输出,IR22771供给PWM输出。通过操、纵这项手”艺,IR依然出了一系列门驱动和传感芯片,并带有充裕的包庇电路,包罗接地失误包庇(只正在高端编制中供给一次性的包庇),除了!这些前辈?的性能”外,芯片还具有高噪声、逼“迫的特性,元件数!目是光耦和变压。器式计划的30%,且只“必要一”半的电?路板。IR2277和I,R22771是高速、有单相电宣扬“感!接口的芯片,带有”同步采样性能,可用于电机驱动产!物。与采用光耦的计划差别,IR2214和IR22141门驱动器正在整个操纵寿射中永远保留安谧,包罗参数结婚,譬喻、上下压通道的传导延时和插入的死区时间。至今,微管束器接口需要的线性电流反应电路和过流包庇还必要操纵体积大、用度高”且拆卸穷困的分立元件实行。为此IR推出了最新的高速高电压I!GBT把握芯片,这些芯片操纵了IR专有的高压IC手艺,可供给完好的包庇性能,为策画者减削众达50%的“印制板空间。电流采样要通过外接分流电;阻,始末切确的双斜坡编制将模仿量电:压转换为时间间隔,兼容方便的再始末电平”移位,能够供给适合DSP的数字PWM输出,此模数接口不必要。附加特殊的电路。最高采样速度为40K次/秒(适合20KHz的非对称PWM调制!),正在20KHz时最大延时“小,于7.5祍,噪声逼迫!双向电,平移位:电路可避免50V/ns以内的失误共模噪声。

  当代工业与运用?产物的策画者们压力一向加众,正在减小产物体积和省略元件的同时还要抬高编制的合座本能和牢靠性。同物价格和进入市集时间方面的需求意味着上述倾向还必需正在不破费过大本钱?或加众项目周期的条件下完成。目前,最新的!高压芯片手艺正助助工程师们处理基于逆变器的电机调速驱动:编制流程化策画题目,此类编制正在工业运用中日益增加。别的,同样的分。析手”艺也可”认为!通用变换;电路、开关电源和UP;S带来益处。

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